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JTL晶體爐
助熔鹽法生長晶體爐
助熔鹽法生長晶體爐

  光電子材料儀器設(shè)備事業(yè)部在晶體材料研究與生產(chǎn)方面有50余年歷史,從事光電晶體材料的研發(fā)、生長和設(shè)備研制,擁有提拉法、下降法、助熔劑法、區(qū)熔法、泡生法、導(dǎo)模法和熱交換法等多種晶體生長方法和多套晶體生長設(shè)備和工藝,同時還擁有完善的檢測晶體材料性能的檢測設(shè)備。
熔鹽法晶體生長爐,適用頂部籽晶助熔鹽法生長KTP、LBO、BBO晶體。該晶體爐軸向、徑向溫度梯度小,保溫效果良好。
技術(shù)參數(shù):
  1、爐體規(guī)格:不銹鋼(630mm*800mm或根據(jù)需要)
  2、設(shè)備電源:220V/50Hz
  3、設(shè)備功率:1500W—3500W
  4、晶轉(zhuǎn)速度:0-60轉(zhuǎn)/分鐘(可調(diào)節(jié))
  5、提拉行程:滿足600mm升降(可選擇)
  6、溫度控制:0.1精度 50段PID程序控溫(宇電808P)


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