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JTL晶體爐
高溫晶體生長爐
高溫晶體生長爐

產(chǎn)品描述:  
  晶體生長爐主要由晶體提拉控制系統(tǒng)、晶體旋轉(zhuǎn)控制系統(tǒng)、真空泵操作控制系統(tǒng)、晶體生長溫度控制系統(tǒng)等幾 部分組成。采用驅(qū)動(dòng)、傳動(dòng)技術(shù)及配套裝置;采用工藝及材料制作的密封裝置;采用可靠的水冷系統(tǒng)裝置;使籽晶桿運(yùn)轉(zhuǎn)平穩(wěn),無爬行和振動(dòng)。同時(shí)采用了可編程的爐溫控制裝置,實(shí)現(xiàn)了爐溫自動(dòng)控制。并設(shè)有手動(dòng)快速升降裝置,使用方便,是生長高熔點(diǎn)人工晶體的理想設(shè)備。
主要技術(shù)參數(shù):
  爐體采用雙層304L不銹鋼水冷結(jié)構(gòu),極限真空小于10pa
  提拉機(jī)構(gòu):采用滾珠絲杠加導(dǎo)軌拖動(dòng)移動(dòng)平臺(tái)直線運(yùn)動(dòng)。稱重控制采用應(yīng)變式傳感器。

名稱

單位

指標(biāo)數(shù)

爐溫

≤2100

籽晶桿升速

mm/h

0.560

籽晶桿轉(zhuǎn)速

rpm

0~50

籽晶桿行程

mm

600

冷爐極限真空度

Pa

6.67x10-3 

冷卻水壓

MPa

0.15~0.2

   中頻采用:DSP+IGBT全空冷數(shù)字結(jié)構(gòu),具有壽命長,功率因數(shù)高,諧波電流小,可靠性高,效率高的特點(diǎn)
系統(tǒng)特點(diǎn):
  提拉速度和旋轉(zhuǎn)速度在觸摸屏上設(shè)置,具有故障報(bào)警、報(bào)警記錄、數(shù)據(jù)記錄,斷電自動(dòng)處理,超壓報(bào)警等,數(shù)據(jù)記錄可以通過U盤拷出放入計(jì)算機(jī)進(jìn)行分析。稱重系統(tǒng)適合小晶體。已經(jīng)成功生長多重晶體。
  光電子材料儀器設(shè)備事業(yè)部在晶體材料研究與生產(chǎn)方面有50余年歷史,從事光電晶體材料的研發(fā)、生長和設(shè)備研制,擁有提拉法、下降法、助熔劑法、區(qū)熔法、泡生法、導(dǎo)模法和熱交換法等多種晶體生長方法和多套晶體生長設(shè)備和工藝,同時(shí)還擁有完善的檢測(cè)晶體材料性能的檢測(cè)設(shè)備。
  提供晶體材料的研發(fā)、技術(shù)支持及產(chǎn)業(yè)化服務(wù)。并提供各種晶體生長及高溫?zé)崽幚碓O(shè)備(晶體生長爐、真空爐、氣氛爐、退火爐和實(shí)驗(yàn)爐等)的研發(fā)、技術(shù)支持和產(chǎn)業(yè)化。 
提拉法與提拉爐:
  提拉法又稱丘克拉斯基法,是丘克拉斯基(J.Czochralski)在1917年發(fā)明的從熔體中提拉生長高質(zhì)量單晶的方法,簡稱CZ法。提拉法是常用的單晶生長方法,可以生長包括鈮酸鋰、鉭酸鋰、氟化鎂釔鋁石榴石、藍(lán)寶石、尖晶石、釩酸釔等多種晶體。提拉法生長晶體的提拉爐,包括加熱裝置、傳動(dòng)裝置、氣氛控制裝置和控制裝置等。

導(dǎo)模法:
  導(dǎo)模法是由蘇聯(lián)學(xué)者Stepanov于1960年前后提出的,也稱Stepanov法或者EFG法。隨著時(shí)間的推移,這種方法不斷發(fā)展,已經(jīng)成為一種重要的晶體生長方法。這種晶體生長方法具有晶體生長速度快、成本低、晶體加工簡單、組分均勻等優(yōu)點(diǎn)。導(dǎo)模法在單晶光纖、藍(lán)寶石整流罩、藍(lán)寶石管材、棒材等領(lǐng)域中諸多應(yīng)用。

下降法:
  下降法是由Bridgmen于1925年提出的,因此也稱為Bridgmen法。這種方法的原理是將晶體原料裝入坩堝中,通過爐體和坩堝的相對(duì)運(yùn)動(dòng),實(shí)現(xiàn)晶體的生長。下降法常用于生長低熔點(diǎn)閃爍晶體,例如鍺酸鉍晶體、碘化銫晶體、鎢酸鉛等晶體。下降爐一般采用管式設(shè)計(jì),一般有三個(gè)溫區(qū),分別是高溫區(qū)、梯度區(qū)和低溫區(qū)。


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