產(chǎn)品描述：
提拉法生長爐操作使用全自動(dòng)的操作方式，籽晶的下種采用電動(dòng)上下，轉(zhuǎn)速扭矩均衡，提拉速度穩(wěn)定0.2mm/min。晶體等徑、晶體的脫離都采用無人值守全自動(dòng)化控制。智能化控溫系統(tǒng)，控溫穩(wěn)定在正負(fù)1度。爐膛溫區(qū)180mm*直徑220m m本實(shí)用新型屬于一種直拉法生產(chǎn)各種氧化物人工晶體的設(shè)備。其特征在于：爐體為圓筒形立式雙層夾套結(jié)構(gòu)，中間有冷卻水；籽晶桿通過柔性帶、減速輪組與電機(jī)聯(lián)接；手動(dòng)機(jī)構(gòu)通過傳動(dòng)桿、同步帶與滾珠絲杠聯(lián)接。本實(shí)用新型的目的在于提供一種晶體生長爐，其目的在于解決以往的晶體生長爐在無法準(zhǔn)確方便地調(diào)整籽晶桿在爐內(nèi)的位置、晶轉(zhuǎn)電機(jī)經(jīng)常在低轉(zhuǎn)速狀態(tài)下運(yùn)行，電流較大，爐體加工制造復(fù)雜等方面存在的問題。
晶體提拉爐采用驅(qū)動(dòng)、傳動(dòng)技術(shù)及配套裝置，使籽晶桿運(yùn)轉(zhuǎn)平衡，無爬行和振動(dòng)。同時(shí)采用可編程的爐溫控制裝置，實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)等徑和爐溫自動(dòng)控制，并有手動(dòng)快速升降機(jī)構(gòu)，是2英寸~4英寸鈮酸鋰晶體生長及其它1500℃以下的氧化物晶體生長理想設(shè)備。
主要技術(shù)數(shù)據(jù)：
| 名 稱 | 單 位 | 指標(biāo)數(shù) |
| 爐溫 | ℃ | ≤1700 |
| 籽晶桿升速 | mm/h | 0.6～8.5 |
| 籽晶桿轉(zhuǎn)速 | rpm | 0～100 |
| 籽晶桿行程 | mm | 400 |
| 交流電源 | v | 220/380 |
| 熱區(qū)直徑 | mm | 300 |
1．電器控制部分，控制箱為19”-3U標(biāo)準(zhǔn)控制箱。 籽晶傳動(dòng)部分，傳動(dòng)系統(tǒng)：提拉、轉(zhuǎn)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器各一套?？刂瓶ㄒ粋€(gè)。有位置限位功能，采用滾珠絲杠，螺距5 mm。提拉行程480 mm
2．水冷系統(tǒng)，可根據(jù)客戶要求在爐膛外殼添加水循環(huán)系統(tǒng)，增加整體爐膛的降溫速度，爐殼表面溫度在30度左右，并提高了操作人員的安全性。
3．保溫爐體，爐膛采用進(jìn)口氧化鋁多晶體纖維材料，長時(shí)間使用不會(huì)有開裂現(xiàn)象以及整個(gè)爐膛內(nèi)環(huán)境的清潔。可耐2200度高溫。
4．晶體爐架和提拉裝置：晶體爐本身是為1.5---5.5英寸晶體生長設(shè)計(jì)的。對于晶體爐，爐膛溫去的直徑可達(dá)400 mm，高450 mm。它可以在低真空＋氣體保護(hù)下工作或流動(dòng)保護(hù)氣體下工作。
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